DDR3 HYNIX HMT112S6TFR8C-H9 1GB 1Rx8 PC3-10600S-9-10-B1
| Тип модуля памяти |
DDR3
|
| Форм-фактор модуля памяти |
SODIMM
|
| Объем одного модуля |
1 ГБ
|
| Количество модулей в комплекте |
1 шт
|
| Тактовая частота |
1333 МГц
|
| Пропускная способность |
10600 Мб/с, 8500 или 6400
|
| Количество чипов на модуле |
16 шт
|
| Количество контактов |
204
|
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) |
9
|
| Дополнительные характеристики |
| Напряжение VDD |
1,5+/-0,075 В
|
| Напряжение VDDQ |
1,5+/-0,075 В
|
| Напряжение VDDSPD |
от 3.0 до 3.6 В
|
| Вес |
0.008 г, (брутто)
|